|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si
А. В. Андриановa, А. Н. Алешинa, С. Н. Аболмасовb, Е. И. Теруковacb, Е. В. Берегулинa a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
b ООО “НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике”, 194064 С.-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”, 197376 С.-Петербург, Россия
Аннотация:
Сообщается о генерации когерентного терагерцового излучения в $p{-}n$-гетероструктурах на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si при возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами с длиной волны 800 нм при комнатной температуре. Терагерцовое излучение возникает при обратном напряжении смещения на структуре. При этом свойства генерируемого ТГц излучения существенно зависят от величины напряжения смещения, что отражает динамику неравновесных носителей заряда, созданных фемтосекундной лазерной накачкой в гетероструктуре.
Поступила в редакцию: 12.10.2022 Исправленный вариант: 25.10.2022 Принята в печать: 25.10.2022
Образец цитирования:
А. В. Андрианов, А. Н. Алешин, С. Н. Аболмасов, Е. И. Теруков, Е. В. Берегулин, “Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si”, Письма в ЖЭТФ, 116:12 (2022), 825–829; JETP Letters, 116:12 (2022), 859–862
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6822 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v116/i12/p825
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 67 | Список литературы: | 22 | Первая страница: | 13 |
|