|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
А. М. Пашаев, Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, В. Т. Межидова, И. З. Садыхов, “Влияние электрического поля на энергию активации локальных уровней в полупроводниках со слоистой (GaSe) и кубической структурой (Ga$_{2}$Se$_{3}$)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 221–225 ; A. M. Pashaev, B. H. Tagiev, O. B. Tagiyev, V. T. Majidova, I. Z. Sadikhov, “Influence of electric field on the activation energy of local levels in semiconductors with layered (GaSe) and cubic (Ga$_{2}$Se$_{3}$) structures”, Semiconductors, 53:2 (2019), 210–214 |
1
|
|
2017 |
2. |
Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, “Электропроводность монокристаллов твердых растворов GaSe$_{x}$Te$_{1-x}$ в сильных электрических полях”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1060–1064 ; B. H. Tagiev, O. B. Tagiyev, “Electrical conductivity in single crystals of GaSe$_{x}$Te$_{1-x}$ solid solutions in strong electrical fields”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1080–1084 |
2
|
|
1991 |
3. |
И. М. Аскеров, Ф. Ш. Айдаев, Г. К. Асланов, В. Ф. Мастеров, Б. Г. Тагиев, “Люминесценция примесных центров Eu и Mn в монокристаллах
Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$)”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2042–2044 |
4. |
Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, Г. А. Касимова, “Инжекционные токи и термополевой эффект Пула$-$Френкеля
в монокристаллах твердых растворов
(Ga$_{2}$S$_{3}$)$_{1-x}$(Eu$_{2}$O$_{3}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1877–1882 |
|
1989 |
5. |
И. М. Аскеров, Г. К. Асланов, Ф. С. Насрединов, Б. Г. Тагиев, “Дефектные полупроводники Ga$_{2}$S$_{3}$ и Ga$_{2}$Se$_{3}$,
легированные железом”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1083–1087 |
|
1986 |
6. |
Б. Г. Тагиев, Ф. Ш. Айдаев, “Электролюминесценция и инжекционные токи в монокристаллах
GaS : Ho”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 723–726 |
|
1985 |
7. |
Г. А. Смоленский, Л. С. Стильбанс, Э. М. Шер, М. М. Акперов, Б. Г. Тагиев, Т. Т. Токарбаев, К. З. Кобахидзе, “Об использовании эффекта Пельтье для управления сегнетоэлектрическими и магнитными фазовыми переходами”, Докл. АН СССР, 280:3 (1985), 601–604 |
|
1984 |
8. |
Б. Г. Тагиев, С. А. Абушов, Г. М. Нифтиев, “Электролюминесценция монокристаллов
GaS$\langle$Yb$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1904–1906 |
9. |
Б. Г. Тагиев, Г. М. Мамедов, Э. Ф. Багирзаде, Н. Д. Мамедов, Б. З. Алиев, М. Б. Джафаров, “Термополевое гашение экситонной фотопроводимости
в GaSe$\langle\text{Ge}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1043–1045 |
10. |
Г. М. Абдуллаев, С. А. Абушов, Ч. М. Брискина, В. Ф. Золин, В. М. Маркушев, Г. М. Нифтиев, Б. Г. Тагиев, “Фото- и электролюминесценция неодима в монокристаллах GaSe”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 605–608 [H. M. Abdullaev, S. A. Abushov, Ch. M. Briskina, V. F. Zolin, V. M. Markushev, G. M. Niftiev, B. H. Tagiev, “Photoluminescence and electroluminescence of neodymium in GaSe single crystals”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 410–412 ] |
|
1983 |
11. |
Б. Г. Тагиев, Г. М. Нифтиев, С. М. Баширов, “Термостимулированная проводимость в монокристаллах
GaSe$\langle\text{Ni}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1320–1322 |
|