Влияние электрического поля на энергию активации локальных уровней в полупроводниках со слоистой (GaSe) и кубической структурой (Ga$_{2}$Se$_{3}$)

Представлены результаты измерений электропроводности слоистых кристаллов (GaSe, GaTe и их твердых растворов) и кубических кристаллов типа Ga$_{2}$Se$_{3}$ в сильных электрических полях до 5 $\cdot$ 10$^{5}$ В/см в интервале температур (77–300) K. Полученные результаты были сравнены с феноменологической теорией концентрационной неустойчивости в полупроводниках. В этой теории рассматривается роль эффекта Френкеля, связанного с термоэлектронной ионизацией ловушек, приводящих к процессу неустойчивости в полупроводниках с $S$-образной вольт-амперной характеристикой. На основании результатов измерений электропроводности слоистых и кубических кристаллов с эффектом Френкеля и теорией неустойчивости тока в полупроводниках оценена концентрация свободных носителей тока в указанных типах халькогенидных полупроводников: $n$ = (3 $\cdot$ 10$^{13}$-4 $\cdot$ 10$^{15}$) см$^{-3}$.