|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1998 |
| 1. |
В. В. Безотосный, П. В. Булаев, В. А. Горбылев, И. Д. Залевский, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, А. А. Падалица, “Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 303–304  [V. V. Bezotosnyi, P. V. Bulaev, V. A. Gorbylev, I. D. Zalevskii, N. V. Markova, Yu. M. Popov, A. A. Padalitsa, “Continuous-wave 1-W injection lasers emitting near 808 nm with a total efficiency up to 50”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 292–293  ] |
1
|
| 2. |
А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин, В. А. Горбылев, “Расчетная оценка температуры Дебая и температурной зависимости теплоемкости нитридов алюминия, галлия и индия”, ТВТ, 36:5 (1998), 839–842 ; A. A. Marmalyuk, R. Kh. Akchurin, V. A. Gorbylev, “Theoretical calculation of the Debye temperature and temperature dependence of heat capacity of aluminum, gallium and indium nitrides”, High Temperature, 36:5 (1998), 817–819 |
4
|
|
1993 |
| 3. |
В. А. Горбылев, А. И. Петров, А. Б. Петухов, А. А. Чельный, “Оптимизация параметров квантово-размерных напряженных гетеролазерных структур InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 20:5 (1993), 454–456 [V. A. Gorbylev, A. I. Petrov, A. B. Petukhov, A. A. Chel'nyi, “Optimization of InGaAs/GaAs quantum-well strain-layer heterojunction laser structures”, Quantum Electron., 23:5 (1993), 391–393 ] |
1
|
|
1991 |
| 4. |
В. А. Горбылев, М. В. Зверков, О. А. Лабутин, А. И. Петров, А. А. Чельный, В. И. Швейкин, “Лазерный диод, излучающий на длине волны 663 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 824–825 [V. A. Gorbylev, M. V. Zverkov, O. A. Labutin, A. I. Petrov, A. A. Chel'nyi, V. I. Shveǐkin, “Laser diode emitting cw 663 nm radiation at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 745–746 ] |
|
1974 |
| 5. |
В. И. Бородулин, В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, “Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 163–164 [V. I. Borodulin, V. A. Gorbylev, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, “Injection laser with an average output power of 200 mW”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 94] |
|
1971 |
| 6. |
В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки”, Квантовая электроника, 1971, № 5, 97–99 [V. A. Gorbylev, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, I. V. Yashumov, “Dependence of the stimulated emission threshold of injection lasers on the duration of pumping current pulses”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 505–507] |
8
|
|
Обратная связь: