|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
1. |
К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, Л. А. Матевосян, Г. Э. Мирзабекян, “Лазерное нанесение и оптическое исследование тонких пленок Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> различного состава”, Квантовая электроника, 15:1 (1988), 181–183 [K. È. Avdzhyan, A. G. Aleksanyan, R. K. Kazaryan, L. A. Matevosyan, G. É. Mirzabekyan, “Laser deposition and optical investigation of thin Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> films of various compositions”, Sov J Quantum Electron, 18:1 (1988), 117–119 ] |
2
|
|
1985 |
2. |
А. Г. Алексанян, “Влияние электрон-фононного взаимодействия на инверсную населенность в полупроводниковых сверхрешетке и размерно-квантованной пленке в магнитном поле”, Квантовая электроника, 12:4 (1985), 837–839 [A. G. Aleksanyan, “Influence of the eiectron–phonon interaction on an inverted population in a semiconductor superlattice and a semiconductor size-quantized film in a magnetic field”, Sov J Quantum Electron, 15:4 (1985), 544–545 ] |
|
1984 |
3. |
Ал. Г. Алексанян, А. Г. Алексанян, Г. Э. Мирзабекян, Ю. М. Попов, “Полупроводниковый лазер на переходах между уровнями размерного квантования с раздельными электронным и оптическим ограничениями”, Квантовая электроника, 11:9 (1984), 1885–1887 [Al. G. Alexanyan, A. G. Aleksanyan, G. É. Mirzabekyan, Yu. M. Popov, “Semiconductor laser utilizing transitions between size-quantization levels with separate electron and optical confinement”, Sov J Quantum Electron, 14:9 (1984), 1268–1269 ] |
4. |
К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян, “Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>, полученных лазерным напылением”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1264–1266 [K. È. Avdzhyan, A. G. Aleksanyan, N. Sh. Belluyan, R. K. Kazaryan, L. L. Matevosyan, “Quantum size effects in a periodic InSb–GaAs structure and in Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> films prepared by laser evaporation”, Sov J Quantum Electron, 14:6 (1984), 854–655 ] |
5. |
А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, A. M. Хачатрян, “Полупроводниковый лазер на основе Вi<sub>1–x</sub>Sb<sub>x</sub>”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 492–496 [A. G. Aleksanyan, R. K. Kazaryan, A. M. Khachatryan, “Semiconductor laser made of Bi<sub>1–x</sub>Sb<sub>x</sub>”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 336–338 ] |
6
|
|
1982 |
6. |
А. Г. Алексанян, Э. М. Беленов, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов, И. А. Полуэктов, А. Г. Соболев, А. В. Усков, В. Г. Цуканов, “Генерация электромагнитных колебаний МБМБМ-структурами”, Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1700–1702 [A. G. Aleksanyan, È. M. Belenov, I. N. Kompanets, Yu. M. Popov, I. A. Poluektov, A. G. Sobolev, A. V. Uskov, V. G. Tsukanov, “Generation of electromagnetic oscillations in metal–barrier–metal–barrier–metal structures”, Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 1090–1092 ] |
|
1981 |
7. |
А. Г. Алексанян, Э. М. Беленов, И. А. Полуэктов, В. И. Романенко, А. В. Усков, “О возможности создания перестраиваемого по частоте генератора на основе системы переходов металл – барьер – металл – барьер – металл”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1069–1072 [A. G. Aleksanyan, È. M. Belenov, I. A. Poluektov, V. I. Romanenko, A. V. Uskov, “Feasibility of developing a tunable oscillator utilizing a system of metal–barrier–metal–barrier–metal junctions”, Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 635–637 ] |
8. |
А. Г. Алексанян, Э. М. Беленов, И. А. Полуэктов, В. И. Романенко, А. В. Усков, “О генерации гармоник в переходах металл–барьер–металл”, Квантовая электроника, 8:2 (1981), 395–398 [A. G. Aleksanyan, È. M. Belenov, I. A. Poluektov, V. I. Romanenko, A. V. Uskov, “Harmonic generation in metal–barrier–metal junctions”, Sov J Quantum Electron, 11:2 (1981), 237–239 ] |
2
|
9. |
А. Г. Алексанян, Г. П. Бояхчян, “Полупроводниковый лазер с переходами между магнитоакустическими подзонами”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 185–188 [A. G. Aleksanyan, G. P. Boyakhchyan, “Semiconductor laser with transitions between magnetoacoustic subbands”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 108–109 ] |
|
1979 |
10. |
А. Г. Алексанян, Г. П. Бояхчян, Э. Г. Мирзабекян, “Коэффициент усиления электромагнитного излучения полупроводника, помещенного в магнитное поле и в поле
ультразвуковой волны”, Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1786–1789 [A. G. Aleksanyan, G. P. Boyakhchyan, E. G. Mirzabekyan, “Gain of electromagnetic radiation traveling in a semiconductor subjected to magnetic and ultrasonic fields”, Sov J Quantum Electron, 9:8 (1979), 1053–1054] |
|
1975 |
11. |
А. Г. Алексанян, Р. Г. Аллахвердян, Ал. Г. Алексанян, “Полупроводниковый квантовый генератор на внутризонных переходах между магнитопленочными уровнями”, Квантовая электроника, 2:8 (1975), 1648–1653 [A. G. Aleksanyan, R. G. Allakhverdyan, Al. G. Aleksanyan, “Semiconductor laser utilizing intraband transitions between magnetic-film levels”, Sov J Quantum Electron, 5:8 (1975), 891–894] |
|
1974 |
12. |
А. Г. Алексанян, “Спектральная зависимость отрицательной фотопроводимости”, Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1693–1699 [A. G. Aleksanyan, “Spectral dependence of negative photoconductivity”, Sov J Quantum Electron, 4:8 (1975), 933–938] |
4
|
13. |
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 62–68 [A. G. Aleksanyan, I. A. Poluéktov, Yu. M. Popov, “Theory of the gain of semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 32–35] |
|
1973 |
14. |
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “О вычислении квазиуровней Ферми и характеристик спонтанного излучения в сильнолегированных полупроводниках”, Квантовая электроника, 1973, № 5(17), 117–119 [A. G. Aleksanyan, I. A. Poluèktov, Yu. M. Popov, “Calculation of the quasi-Fermi levels and characteristics of spontaneous emission from heavily doped semiconductors”, Sov J Quantum Electron, 3:5 (1974), 435–436] |
|
1972 |
15. |
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “Коэффициент усиления света в сильно легированных полупроводниках”, Квантовая электроника, 1972, № 2(8), 77–83 [A. G. Aleksanyan, I. A. Poluèktov, Yu. M. Popov, “Optical gain of heavily doped semiconductors”, Sov J Quantum Electron, 2:2 (1972), 150–154] |
|
1971 |
16. |
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “О влиянии концентрации примесей на пороговые характеристики полупроводниковых квантовых генераторов”, Квантовая электроника, 1971, № 3, 15–22 [A. G. Aleksanyan, I. A. Poluèktov, Yu. M. Popov, “Influence of impurity concentration on the threshold characteristics of semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 1:3 (1971), 213–218] |
|