Спектральная зависимость отрицательной фотопроводимости

Теоретически исследовано условие возникновения отрицательной фотопроводимости и ее спектральные характеристики. Получено выражение для изменения плотности фотоэлектронов в зависимости от частоты возбуждающего света. Показано, что по спектральным измерениям фотопроводимости можно судить о концентрации легирующих примесей. Исследуемое явление может найти применение в оптоэлектронике и других областях полупроводниковой лазерной техники. Кроме того, экспериментальное определение спектральной зависимости отрицательной фотопроводимости может дать информацию о справедливости той или иной модели, используемой для вычисления коэффициента усиления света в сильнолегированных полупроводниках.