|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2000 |
| 1. |
О. Н. Горшков, Е. М. Дианов, Н. Б. Звонков, Г. А. Максимов, В. Н. Протопопов, Ю. И. Чигиринский, “Люминесценция пленок Cr<sup>4+</sup>:Ca<sub>2</sub>GeO<sub>4</sub> в ближней ИК области спектра”, Квантовая электроника, 30:3 (2000), 261–262  [O. N. Gorshkov, E. M. Dianov, N. B. Zvonkov, G. A. Maksimov, V. N. Protopopov, Yu. I. Chigirinskii, “Luminescence of Cr<sup>4+</sup>:Ca<sub>2</sub>GeO<sub>4</sub> films in the near infrared region”, Quantum Electron., 30:3 (2000), 261–262  ] |
2
|
|
1999 |
| 2. |
Н. Б. Звонков, С. А. Ахлестина, А. В. Ершов, Б. Н. Звонков, Г. А. Максимов, Е. А. Ускова, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами”, Квантовая электроника, 26:3 (1999), 217–218 [N. B. Zvonkov, S. A. Akhlestina, A. V. Ershov, B. N. Zvonkov, G. A. Maksimov, E. A. Uskova, “Semiconductor lasers with broad tunnel-coupled waveguides, emitting at a wavelength of 980 nm”, Quantum Electron., 29:3 (1999), 217–218 ] |
9
|
|
1998 |
| 3. |
Н. Б. Звонков, Б. Н. Звонков, А. В. Ершов, Е. А. Ускова, Г. А. Максимов, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 25:7 (1998), 622–624 [N. B. Zvonkov, B. N. Zvonkov, A. V. Ershov, E. A. Uskova, G. A. Maksimov, “Semiconductor lasers emitting at the 0.98 μm wavelength with radiation coupling-out through the substrate”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 605–607 ] |
10
|
|
1997 |
| 4. |
И. А. Авруцкий, Е. М. Дианов, Б. Н. Звонков, Н. Б. Звонков, И. Г. Малкина, Г. А. Максимов, Е. А. Ускова, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами”, Квантовая электроника, 24:2 (1997), 123–126 [I. A. Avrutskiǐ, E. M. Dianov, B. N. Zvonkov, N. B. Zvonkov, I. G. Malkina, G. A. Maksimov, E. A. Uskova, “Semiconductor lasers with tunnel-coupled waveguides emitting at the wavelength of 980 nm”, Quantum Electron., 27:2 (1997), 118–121 ] |
2
|
|
1996 |
| 5. |
И. А. Авруцкий, С. А. Ахлестина, Е. М. Дианов, Н. Б. Звонков, Е. Р. Линькова, Г. А. Максимов, “Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 23:8 (1996), 701–703 [I. A. Avrutskiǐ, S. A. Akhlestina, E. M. Dianov, N. B. Zvonkov, E. R. Lin'kova, G. A. Maksimov, “Single-mode emission from injection lasers with a trapezoidal active region”, Quantum Electron., 26:8 (1996), 682–684 ] |
1
|
|
1994 |
| 6. |
И. А. Авруцкий, Л. М. Батукова, Е. М. Дианов, Б. Н. Звонков, Н. Б. Звонков, Г. А. Максимов, И. Г. Малкина, Л. В. Медведева, Т. Н. Янькова, “Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 21:10 (1994), 921–924 [I. A. Avrutskiǐ, L. M. Batukova, E. M. Dianov, B. N. Zvonkov, N. B. Zvonkov, G. A. Maksimov, I. G. Malkina, L. V. Medvedeva, T. N. Yan'kova, “Lasers emitting at a wavelength of 0.98 μm, constructed from InGaP/GaAs heterostructures grown by MOCVD method”, Quantum Electron., 24:10 (1994), 859–862 ] |
4
|
|
Обратная связь: