|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 7, страницы 622–624
(Mi qe1287)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Лазеры. Активные среды
Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку
Н. Б. Звонков, Б. Н. Звонков, А. В. Ершов, Е. А. Ускова, Г. А. Максимов Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Разработан и экспериментально исследован полупроводниковый лазер на структуре InGaAs/GaAs/InGaP новой конструкции — лазер с выходом излучения через подложку, позволяющий получить узкую диаграмму направленности в перпендикулярной p – n-переходу плоскости. Получена мощность 0.63 Вт в пучке с расходимостью излучения в этой плоскости 1.2°.
Поступила в редакцию: 01.04.1998
Образец цитирования:
Н. Б. Звонков, Б. Н. Звонков, А. В. Ершов, Е. А. Ускова, Г. А. Максимов, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 25:7 (1998), 622–624 [Quantum Electron., 28:7 (1998), 605–607]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1287 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i7/p622
|
|