Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

На основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении, изготовлены полупроводниковые инжекционные лазеры, излучающие в области 0.92–1.02 мкм. При ширине активной полоски 100 мкм мощность излучения составляет до 750 мВт с одной сколотой грани, а внешняя дифференциальная квантовая эффективность достигает 42%. Лазерные линейки, состоящие из пяти излучающих полосок, имеют мощность до 2 Вт в непрерывном режиме и пригодны для использования в качестве источников накачки твердотельных лазеров. Одномодовые лазеры с узкой полоской (5 мкм) имеют мощность до 25 мВт с одной сколотой грани. При увеличении выходной мощности до 30 мВт возникают дополнительные поперечные моды. Обсуждаются особенности технологии изготовления таких лазеров.