|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2007 |
| 1. |
А. С. Курков, В. М. Парамонов, М. В. Яшков, С. Е. Гончаров, И. Д. Залевский, “Многомодовый волоконный эрбиевый лазер с накачкой в оболочку”, Квантовая электроника, 37:4 (2007), 343–344   [A. S. Kurkov, V. M. Paramonov, M. V. Yashkov, S. E. Goncharov, I. D. Zalevskii, “Multimode cladding-pumped erbium-doped fibre laser”, Quantum Electron., 37:4 (2007), 343–344   ] |
15
|
|
2005 |
| 2. |
В. В. Безотосный, Н. Ф. Глущенко, И. Д. Залевский, Ю. М. Попов, В. П. Семенков, Е. А. Чешев, “Высокоэффективный компактный Nd<sup>3+</sup>:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором”, Квантовая электроника, 35:6 (2005), 507–510 [V. V. Bezotosnyi, N. F. Glushchenko, I. D. Zalevskii, Yu. M. Popov, V. P. Semenkov, E. A. Cheshev, “Highly efficient, compact diode-pumped acousto-optically Q-switched 1.064-μm Nd<sup>3+</sup>:YAG laser operating in cw and pulsed regimes”, Quantum Electron., 35:6 (2005), 507–510 ] |
5
|
|
2003 |
| 3. |
И. А. Буфетов, В. В. Дудин, А. В. Шубин, А. К. Сенаторов, Е. М. Дианов, А. Б. Грудинин, С. Е. Гончаров, И. Д. Залевский, А. Н. Гурьянов, М. В. Яшков, А. А. Умников, Н. Н. Вечканов, “Эффективный неодимовый одномодовый волоконный лазер, работающий в области 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 33:12 (2003), 1035–1037 [I. A. Bufetov, V. V. Dudin, A. V. Shubin, A. K. Senatorov, E. M. Dianov, A. B. Grudinin, S. E. Goncharov, I. D. Zalevskii, A. N. Gur'yanov, M. V. Yashkov, A. A. Umnikov, N. N. Vechkanov, “Efficient 0.9-μm neodymium-doped single-mode fibre laser”, Quantum Electron., 33:12 (2003), 1035–1037 ] |
40
|
|
2002 |
| 4. |
А. С. Курков, В. М. Парамонов, О. Н. Егорова, О. И. Медведков, Е. М. Дианов, И. Д. Залевский, С. Е. Гончаров, “Волоконный ВКР-усилитель на длину волны 1.65 мкм”, Квантовая электроника, 32:8 (2002), 747–750 [A. S. Kurkov, V. M. Paramonov, O. N. Egorova, O. I. Medvedkov, E. M. Dianov, I. D. Zalevskii, S. E. Goncharov, “A 1.65-μm fibre Raman amplifier”, Quantum Electron., 32:8 (2002), 747–750 ] |
3
|
| 5. |
Ю. В. Абазадзе, Н. А. Лицарев, В. Л. Почтарев, В. А. Пашков, А. Ю. Хачиев, А. А. Казаков, Ю. П. Коваль, В. А. Симаков, В. Н. Неуструева, Г. С. Егорова, И. Д. Залевский, А. А. Бородкин, С. М. Сапожников, “Особенности построения лазерного измерителя скорости и дальности ЛИСД-2М”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 247–250 [Yu. V. Abazadze, N. A. Litsarev, V. L. Pochtarev, V. A. Pashkov, A. Yu. Khachiev, A. A. Kazakov, Yu. P. Koval', V. A. Simakov, V. N. Neustrueva, G. S. Egorova, I. D. Zalevskii, A. A. Borodkin, S. M. Sapozhnikov, “Constructional features of a LISD-2M laser velocimeter and rangefinder”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 247–250 ] |
1
|
| 6. |
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 216–218 [P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218 ] |
| 7. |
П. В. Булаев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Д. Б. Никитин, А. В. Петровский, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, В. В. Оськин, М. В. Зверков, В. А. Симаков, Г. М. Зверев, “Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 213–215 [P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215 ] |
7
|
| 8. |
Ю. П. Рудницкий, Л. В. Шачкин, И. Д. Залевский, “О кинетике безызлучательного переноса энергии в фосфатных Yb–Er-стеклах, возбуждаемых диодным лазером”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 197–201 [Yu. P. Rudnitskii, L. V. Shachkin, I. D. Zalevskii, “On the kinetics of nonradiative energy transfer in Yb – Er phosphate glasses excited by a diode laser”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 197–201 ] |
4
|
|
2001 |
| 9. |
А. С. Курков, В. М. Парамонов, О. Н. Егорова, О. И. Медведков, Е. М. Дианов, М. В. Яшков, А. Н. Гурьянов, И. Д. Залевский, С. Е. Гончаров, “Мощный эрбиевый волоконный усилитель с накачкой от рамановского волоконного конвертера на основе фосфоросиликатного световода”, Квантовая электроника, 31:9 (2001), 801–803 [A. S. Kurkov, V. M. Paramonov, O. N. Egorova, O. I. Medvedkov, E. M. Dianov, M. V. Yashkov, A. N. Gur'yanov, I. D. Zalevskii, S. E. Goncharov, “High-power erbium-doped fibre amplifier pumped by a phosphosilicate fibre Raman converter”, Quantum Electron., 31:9 (2001), 801–803 ] |
3
|
| 10. |
А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 659–660 [A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660 ] |
5
|
|
1999 |
| 11. |
В. В. Безотосный, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Шишкин, “Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу”, Квантовая электроника, 27:1 (1999), 1–2 [V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the p — n junction”, Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284 ] |
1
|
|
1998 |
| 12. |
В. В. Безотосный, И. Д. Залевский, Х. Х. Кумыков, Н. В. Маркова, “Экспериментальное изучение и моделирование излучательных характеристик мощных непрерывных инжекционных лазеров спектрального диапазона 808 нм с полным КПД до 50”, Квантовая электроника, 25:7 (1998), 611–615 [V. V. Bezotosnyi, I. D. Zalevskii, Kh. Kh. Kumykov, N. V. Markova, “Experimental investigation and simulation of the output characteristics of powerful cw diode lasers operating in the spectral range 808 nm with a total efficiency of up to 50”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 594–598 ] |
1
|
| 13. |
В. В. Безотосный, П. В. Булаев, В. А. Горбылев, И. Д. Залевский, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, А. А. Падалица, “Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 303–304 [V. V. Bezotosnyi, P. V. Bulaev, V. A. Gorbylev, I. D. Zalevskii, N. V. Markova, Yu. M. Popov, A. A. Padalitsa, “Continuous-wave 1-W injection lasers emitting near 808 nm with a total efficiency up to 50”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 292–293 ] |
1
|
|
1984 |
| 14. |
Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль, И. Д. Залевский, “Примесная зона кластеров железа в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 250–254 |
|
|
|
2002 |
| 15. |
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:6 (2002), 564 |
|
Обратная связь: