|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Ю. М. Белоусов, В. Н. Горелкин, И. В. Черноусов, “О подвижности носителей заряда определенной энергии”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 28–34   ; Yu. M. Belousov, V. N. Gorelkin, I. V. Chernousov, “On mobility of definite energy charge carriers”, Semiconductors, 52:1 (2018), 24–30 |
|
2004 |
| 2. |
Т. Н. Мамедов, Д. Андрейка, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, К. И. Грицай, В. А. Жуков, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Влияние одноосного статического давления на поведение акцепторной примеси алюминия в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 385–388 ; T. N. Mamedov, D. Andreica, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, K. I. Gritsaj, V. A. Zhukov, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “The effect of uniaxial static pressure on the behavior of an aluminum acceptor impurity in silicon”, JETP Letters, 80:5 (2004), 339–342  |
2
|
| 3. |
Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Исследование механизмов ионизации акцепторной примеси алюминия в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 79:1 (2004), 25–29 ; T. N. Mamedov, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “Ionization mechanisms of aluminum acceptor impurity in silicon”, JETP Letters, 79:1 (2004), 21–24 |
3
|
|
2002 |
| 4. |
Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Особенности взаимодействия акцепторной примеси $_\mu$Al в слабо- и сильнолегированных образцах кремния”, Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002), 515–519 ; T. N. Mamedov, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “Interactions of $_\mu$Al acceptor impurity in weakly and heavily doped silicon”, JETP Letters, 76:7 (2002), 440–443 |
2
|
|
2001 |
| 5. |
Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, К. И. Грицай, В. Н. Дугинов, О. Корманн, Я. Майор, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 73:12 (2001), 759–762 ; T. N. Mamedov, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, K. I. Gritsaj, V. N. Duginov, O. Kormann, J. Major, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “Magnetic moment relaxation of a shallow acceptor center in heavily doped silicon”, JETP Letters, 73:12 (2001), 674–677 |
2
|
|
1979 |
| 6. |
Ю. М. Белоусов, В. Н. Горелкин, А. Л. Микаэлян, В. Ю. Милосердин, В. П. Смилга, “Исследование металлов с помощью положительных мюонов”, УФН, 129:1 (1979), 3–44 ; Yu. M. Belousov, V. N. Gorelkin, A. L. Mikaelyan, V. Yu. Miloserdin, V. P. Smilga, “Study of metals by means of positive muons”, Phys. Usp., 22:9 (1979), 679–702 |
22
|
|
Обратная связь: