Влияние одноосного статического давления на поведение акцепторной примеси алюминия в кремнии

Представлены результаты исследования влияния одноосного давления на поведение мелких акцепторных центров алюминия в кремнии. Примесные атомы $_\mu $Al в образце кристаллического кремния с примесью фосфора $(1.6 \cdot10^{13}\,$см$^{-3}$ – первый образец, $1.9\cdot10^{13}\,$см$^{-3}$ – второй образец) создавались путем имплантации отрицательных мюонов. Поляризация мюонов была исследована в поперечном спину мюона магнитном поле величиной 2.5 кГс в диапазоне температур 10–300 К. Направление выбранной оси кристалла ([111] в первом образце, [100] – во втором), внешнего магнитного поля и начальной поляризации спина мюона были взаимноперпендикулярны. Обнаружено, что внешнее давление, приложенное вдоль указанной оси кристалла, приводит к изменению как абсолютной величины скорости релаксации магнитного момента акцепторного центра, так и характера ее температурной зависимости.