Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Андрианов Д Г

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 9
Научных статей: 9

Статистика просмотров:
Эта страница:112
Страницы публикаций:924
Полные тексты:378
Списки литературы:120

https://www.mathnet.ru/rus/person71028
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2004
1. Т. Н. Мамедов, Д. Андрейка, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, К. И. Грицай, В. А. Жуков, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Влияние одноосного статического давления на поведение акцепторной примеси алюминия в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  385–388  mathnet; T. N. Mamedov, D. Andreica, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, K. I. Gritsaj, V. A. Zhukov, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “The effect of uniaxial static pressure on the behavior of an aluminum acceptor impurity in silicon”, JETP Letters, 80:5 (2004), 339–342  scopus 2
2. Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Исследование механизмов ионизации акцепторной примеси алюминия в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 79:1 (2004),  25–29  mathnet; T. N. Mamedov, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “Ionization mechanisms of aluminum acceptor impurity in silicon”, JETP Letters, 79:1 (2004), 21–24  scopus 3
2002
3. Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Особенности взаимодействия акцепторной примеси $_\mu$Al в слабо- и сильнолегированных образцах кремния”, Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002),  515–519  mathnet; T. N. Mamedov, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “Interactions of $_\mu$Al acceptor impurity in weakly and heavily doped silicon”, JETP Letters, 76:7 (2002), 440–443  scopus 2
2001
4. Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, К. И. Грицай, В. Н. Дугинов, О. Корманн, Я. Майор, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 73:12 (2001),  759–762  mathnet; T. N. Mamedov, D. G. Andrianov, D. Herlach, V. N. Gorelkin, K. I. Gritsaj, V. N. Duginov, O. Kormann, J. Major, A. V. Stoikov, U. Zimmermann, “Magnetic moment relaxation of a shallow acceptor center in heavily doped silicon”, JETP Letters, 73:12 (2001), 674–677  scopus 2
1992
5. Д. Г. Андрианов, И. В. Матвеев, Е. А. Халявин, С. Б. Бугорский, И. П. Заутин, Ю. В. Мезенцев, “Низкочастотные электромагнитные потери для высокотемпературного сверхпроводника YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ в магнитных полях до $H_{c1}$”, Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1625–1627  mathnet  isi
1986
6. Д. Г. Андрианов, А. С. Савельев, С. М. Якубеня, “Эффект Яна–Теллера для ионов Mn$^{+3}$ в фосфиде индия”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1253–1257  mathnet
1984
7. Д. Г. Андрианов, Ю. А. Григорьев, С. О. Климонский, А. С. Савельев, С. М. Якубеня, “К вопросу о зарядовом состоянии примеси марганца в GaAs$\langle$Mn$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  262–265  mathnet
1983
8. А. Г. Либинсон, Д. Г. Андрианов, И. В. Матвеев, “Аномалия температурной зависимости электросопротивления ниобия вблизи $T_{c}$”, Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2812–2813  mathnet  isi
1960
9. В. И. Фистуль, Д. Г. Андрианов, “Адсорбционные изменения поверхностной проводимости германия”, Докл. АН СССР, 130:2 (1960),  374–376  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024