|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
| 1. |
О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503  ; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468   |
25
|
| 2. |
А. А. Шкляев, К. Н. Романюк, А. В. Латышев, А. В. Аржанников, “Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на
оксидированной поверхности Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 477–480 ; A. A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, A. V. Latyshev, A. V. Arzhannikov, “Effect of dislocations on the shape of islands during silicon growth on the oxidized Si(111) surface”, JETP Letters, 94:6 (2011), 442–445 |
6
|
| 3. |
К. Н. Романюк, А. А. Шкляев, Б. З. Ольшанецкий, А. В. Латышев, “Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011), 740–745 ; K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, B. Z. Olshanetsky, A. V. Latyshev, “Formation of Ge clusters at a Si(111)-Bi-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ surface”, JETP Letters, 93:11 (2011), 661–666 |
3
|
|
Обратная связь: