Научная биография: |
МГУ им. М.В. Ломоносова, Физич. факультет, Отделение эксперим. и теор. физики, Каф. общей физики и молекулярной электроники, н.с., с.н.с., 2005 - 2018.
С октября 2018 г. - с.н.с. в Сколковском институте науки и технологий.
Жигунов, Денис Михайлович.
Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твёрдых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 2006. - 124 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Д. М. Жигунов, И. А. Каменских, А. М. Лебедев, Р. Г. Чумаков, Ю. А. Логачев, С. Н. Якунин, П. К. Кашкаров, “Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремния”, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017), 496–501   ; D. M. Zhigunov, I. A. Kamenskikh, A. M. Lebedev, R. G. Chumakov, Yu. A. Logachev, S. N. Yakunin, P. K. Kashkarov, “X-ray reflectivity and photoelectron spectroscopy of superlattices with silicon nanocrystals”, JETP Letters, 106:8 (2017), 517–521   |
4
|
| 2. |
Д. В. Шулейко, С. В. Заботнов, Д. М. Жигунов, А. А. Зеленина, И. А. Каменских, П. К. Кашкаров, “Фотолюминесценция аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров в сверхрешетках из нитрида и оксида кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 205–211 ; D. V. Shuleiko, S. V. Zabotnov, D. M. Zhigunov, A. A. Zelenina, I. A. Kamenskikh, P. K. Kashkarov, “Photoluminescence of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in silicon nitride and oxide superlattices”, Semiconductors, 51:2 (2017), 196–202 |
6
|
| 3. |
Д. М. Жигунов, А. С. Ильин, П. А. Форш, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, П. К. Кашкаров, “Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017), 95–101 ; D. M. Zhigunov, A. S. Ilyin, P. A. Forsh, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, P. K. Kashkarov, “Luminescence of solar cells with $a$-Si:H/$c$-Si heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 496–498 |
7
|
|
2005 |
| 4. |
М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 614–617 ; M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497 |
12
|
|
Обратная связь: