Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 10, страницы 95–101
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626 (Mi pjtf6230) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si

Д. М. Жигуновa, А. С. Ильинab, П. А. Форшab, А. В. Бобыльc, В. Н. Вербицкийc, Е. И. Теруковc, П. К. Кашкаровab

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (254 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626
Аннотация: Исследованы электролюминесценция и фотолюминесценция солнечных элементов, содержащих гетеропереходы $a$-Si : H/$c$-Si. Установлено, что как электролюминесценция, так и фотолюминесценция исследованных элементов определяются излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда в кристаллическом кремнии. Продемонстрировано, что внешний энергетический выход (КПД) электролюминесценции солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si составляет при комнатной температуре значение 2.1%, что превосходит имеющиеся на данный момент значения для кремниевых диодных структур. Столь значительные величины КПД электролюминесценции могут объясняться хорошей пассивацией поверхности кристаллического кремния и соответственно увеличением времени жизни неосновных носителей заряда в исследованных элементах.
Поступила в редакцию: 30.12.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 5, Pages 496–498
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017050261
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. М. Жигунов, А. С. Ильин, П. А. Форш, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, П. К. Кашкаров, “Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017), 95–101; Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 496–498
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhiIlyFor17}
\by Д.~М.~Жигунов, А.~С.~Ильин, П.~А.~Форш, А.~В.~Бобыль, В.~Н.~Вербицкий, Е.~И.~Теруков, П.~К.~Кашкаров
\paper Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 10
\pages 95--101
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6230}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29357230}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 5
\pages 496--498
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017050261}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6230
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i10/p95
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024