|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
O. B. Gusev, A. V. Belolipetskiy, I. N. Yassievich, A. V. Kukin, E. E. Terukova, E. I. Terukov, “Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 639–642   ; Semiconductors, 50:5 (2016), 627–631 |
| 2. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, И. Н. Трапезникова, “Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 538–548 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, O. B. Gusev, I. N. Trapeznikova, “On the formation of silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), with time-modulated dc magnetron plasma”, Semiconductors, 50:4 (2016), 530–540 |
3
|
|
2011 |
| 3. |
О. Б. Гусев, Ю. С. Вайнштейн, Ю. К. Ундалов, О. С. Ельцина, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, О. М. Сресели, “Люминесценция аморфных нанокластеров кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 402–405 ; O. B. Gusev, J. S. Vainshtein, Yu. K. Undalov, O. S. Yeltsina, I. N. Trapeznikova, E. I. Terukov, O. M. Sreseli, “Luminescence of amorphous silicon nanoclusters”, JETP Letters, 94:5 (2011), 370–373   |
7
|
| 4. |
О. Б. Гусев, А. А. Прокофьев, О. А. Маслова, Е. И. Теруков, И. Н. Яссиевич, “Передача энергии между нанокристаллами кремния”, Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011), 162–165 ; O. B. Gusev, A. A. Prokofiev, O. A. Maslova, E. I. Terukov, I. N. Yassievich, “Energy transfer between silicon nanocrystals”, JETP Letters, 93:3 (2011), 147–150 |
18
|
|
1992 |
| 5. |
О. Б. Гусев, М. С. Бреслер, Н. В. Зотова, Н. М. Стусь, “Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа
в системе InAs/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 738–741 |
|
1991 |
| 6. |
М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, М. П. Михайлова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением
в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 298–306 |
|
1988 |
| 7. |
М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, И. А. Меркулов, “Поляризация люминесценции и оптическая ориентация дырок в PbTe в стимулированном режиме”, Физика твердого тела, 30:1 (1988), 177–183 |
|
1987 |
| 8. |
Б. П. Захарченя, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, И. А. Меркулов, “Оптическая ориентация носителей заряда в полупроводнике в режиме стимулированной люминесценции”, Докл. АН СССР, 297:3 (1987), 584–587 |
|
1986 |
| 9. |
М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, А. О. Степанов, “Плотность электронно-дырочной плазмы, возбужденной в полупроводнике”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1387–1392 |
|
1985 |
| 10. |
М. А. Алексеев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, И. А. Меркулов, А. О. Степанов, “Поляризация люминесценции $n$-InSb в сильном магнитном поле
при двухфотонной накачке”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 722–728 |
|
1983 |
| 11. |
М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, А. О. Степанов, “Спектры люминесценции и разогрев электронов светом в InSb”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1195–1201 |
|
Обратная связь: