|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Г. Банщиков, Ю. Ю. Илларионов, М. И. Векслер, S. Wachter, Н. С. Соколов, “Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 844–849   ; A. G. Banshchikov, Yu. Yu. Illarionov, M. I. Vexler, S. Wachter, N. S. Sokolov, “Trends in reverse-current change in tunnel MIS diodes with calcium fluoride on Si(111) upon the formation of an extra oxide layer”, Semiconductors, 53:6 (2019), 833–837 |
|
2018 |
| 2. |
Ю. Ю. Илларионов, А. Г. Банщиков, Н. С. Соколов, S. Wachter, М. И. Векслер, “Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 150–157 ; Yu. Yu. Illarionov, A. G. Banshchikov, N. S. Sokolov, S. Wachter, M. I. Vexler, “Nonmonotonic change in the tunnel conductivity of an MIS structure with a two-layer insulator with an increase in its thickness (by the example of the metal/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si system)”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1188–1191 |
2
|
| 3. |
Л. В. Луцев, С. М. Сутурин, А. М. Коровин, В. Э. Бурсиан, Н. С. Соколов, “Релаксационные потери магнитных возбуждений в наноразмерных пленках железо-иттриевого граната”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 10–18 ; L. V. Lutsev, S. M. Suturin, A. M. Korovin, V. E. Bursian, N. S. Sokolov, “Relaxation losses of magnetic excitations in nanoscale films of yttrium iron garnet”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 558–561 |
3
|
| 4. |
А. К. Кавеев, С. М. Сутурин, Н. С. Соколов, К. А. Кох, О. Е. Терещенко, “Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 10–15 ; A. K. Kaveev, S. M. Suturin, N. S. Sokolov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, “A study of the crystal structure of Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ epitaxial films on a Bi$_{2}$Te$_{3}$ topological insulator”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 184–186 |
5
|
|
2016 |
| 5. |
А. К. Кавеев, В. Э. Бурсиан, С. В. Гастев, Б. Б. Кричевцов, С. М. Сутурин, М. П. Волков, Н. С. Соколов, “Выращивание методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$/GaN и характеризация их структурных и магнитных свойств”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 72–78 ; A. K. Kaveev, V. E. Bursian, S. V. Gastev, B. B. Krichevtsov, S. M. Suturin, M. P. Volkov, N. S. Sokolov, “Growth of Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$/GaN layers by laser molecular-beam epitaxy and characterization of their structural and magnetic properties”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1156–1158 |
|
2006 |
| 6. |
И. В. Голосовский, Н. С. Соколов, А. К. Кавеев, M. Boehm, J. Nogués, S. Nannarone, “Магнитный порядок в эпитаксиальном слое MnF$_2$ с орторомбической структурой”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 185–188 ; I. V. Golosovskii, N. S. Sokolov, A. K. Kaveev, M. Boehm, J. Nogués, S. Nannarone, “Magnetic order in an MnF<sub>2</sub> epitaxial layer with the orthorhombic structure”, JETP Letters, 83:4 (2006), 152–155   |
9
|
|
1992 |
| 7. |
В. В. Александров, A. М. Дьяконов, Ю. Б. Потапова, Н. С. Соколов, “Исследование упругих характеристик эпитаксиальных слоев CaF$_{2}$
на Si(III) методом Мандельштам-бриллюэновской спектроскопии”, Письма в ЖТФ, 18:19 (1992), 44–49 |
|
1991 |
| 8. |
Х. К. Альварес, С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Напряженные слои и сверхрешетки CaF$_{2}{-}$SrF$_{2}$ на кремнии
и арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 17:21 (1991), 28–32 |
| 9. |
Х. К. Альварес, А. Ю. Казимиров, М. В. Ковальчук, А. Я. Крейнес, Н. С. Соколов, Т. Ю. Фидченко, Н. Л. Яковлев, “Исследование структуры тонких эпитаксиальных слоев CaF$_{2}$
на Si (111) методами примесной фотолюминесценции и стоячих рентгеновских волн”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 7–12 |
|
1989 |
| 10. |
Я. Г. Копьев, С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Молекулярно-лучевая эпитаксия и фотолюминесцентное определение упругих деформаций слоев CaF$_{2}$ и SrF$_{2}$ на GaAs (111)”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 214–219 |
| 11. |
Н. С. Соколов, Е. Вихиль, С. В. Гастев, С. В. Новиков, Н. Л. Яковлев, “Фотолюминесцентное исследование упругих деформаций в эпитаксиальных слоях CaF$_{2}$/Si(111)”, Физика твердого тела, 31:2 (1989), 75–79 |
|
1987 |
| 12. |
С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Осцилляции интенсивности дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии $Ca\,F_2/Si$ (111)”, Письма в ЖТФ, 13:23 (1987), 1442–1446 |
| 13. |
С. В. Гастев, С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Молекулярно-лучевая эпитаксия слоев $Ca\,F_2$ на $Si$ (III) и измерение
их деформаций по спектрам примесной фотолюминесценции”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987), 961–966 |
|
1986 |
| 14. |
Н. Л. Яковлев, Н. С. Соколов, “Диамагнитные экситоны и гофрировка валентной зоны $\Gamma^{+}_{7}$ в кристаллах закиси меди”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 1998–2008 |
|
1985 |
| 15. |
С. В. Гастев, Н. С. Соколов, “Дисперсия валентных зон $\Gamma^{+}_{7}{-}\Gamma^{+}_{8}$ и циклотронный резонанс дырок в кристаллах закиси меди”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 416–420 |
| 16. |
С. В. Гастев, Н. С. Соколов, “Спектральная зависимость селективной оптической накачки электронов
в долины зоны проводимости кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1328–1331 |
|
1984 |
| 17. |
Н. Л. Яковлев, Н. С. Соколов, “Круговая поляризация люминесценции ортоэкситонов в кристаллах закиси меди в магнитном поле”, Физика твердого тела, 26:2 (1984), 471–474 |
|
1983 |
| 18. |
С. В. Гастев, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Поляризация люминесценции параэкситонов в кристаллах закиси меди в магнитном поле”, Физика твердого тела, 25:10 (1983), 3002–3008 |
1
|
| 19. |
С. В. Гастев, И. П. Кузьмина, О. А. Лазаревская, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Люминесценция и оптическое детектирование ЭПР триплетных состояний в кристаллах закиси меди”, Физика твердого тела, 25:8 (1983), 2338–2342 |
|
Обратная связь: