Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 5, страницы 10–15
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.05.45702.17043 (Mi pjtf5864) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$

А. К. Кавеевa, С. М. Сутуринa, Н. С. Соколовa, К. А. Кохbc, О. Е. Терещенкоcd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский государственный университет
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (673 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.05.45702.17043
Аннотация: Методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии получены слои Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на подложках топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{3}$ и изучены условия их роста. Впервые продемонстрирована возможность выращивания эпитаксиальных слоев ферромагнетика на поверхности топологического изолятора. Полученные слои CoFeB имеют ОЦК-кристаллическую структуру с кристаллической плоскостью (111), параллельной плоскости (001) Bi$_{2}$Te$_{3}$. Использование трехмерного картографирования в обратном пространстве картин дифракции быстрых электронов позволило определить эпитаксиальные соотношения пленки и подложки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00729
Российский научный фонд 17-12-01047
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 17-02-00729), а также Российского научного фонда в части создания и характеризации топологического изолятора (грант № 17-12-01047).
Поступила в редакцию: 14.09.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 3, Pages 184–186
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018030082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. К. Кавеев, С. М. Сутурин, Н. С. Соколов, К. А. Кох, О. Е. Терещенко, “Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 10–15; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 184–186
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KavSutSok18}
\by А.~К.~Кавеев, С.~М.~Сутурин, Н.~С.~Соколов, К.~А.~Кох, О.~Е.~Терещенко
\paper Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 5
\pages 10--15
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5864}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.05.45702.17043}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740217}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 3
\pages 184--186
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018030082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5864
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i5/p10
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024