Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)

Рассматривается представляющийся на первый взгляд парадоксальным эффект увеличения туннельного тока в структуре металл–фторид кальция–кремний при добавлении слоя диоксида кремния между фторидом и металлом. Данный эффект немонотонного изменения туннельной проводимости с ростом толщины диэлектрика может иметь место при относительно высоких смещениях на структуре и связан с деформацией туннельного барьера, при которой туннелирование электронов происходит через его часть, формируемую окислом. При низких смещениях появление/утолщение дополнительного слоя приводит к естественному спаду тока. Аналогичное поведение в принципе возможно и для других сочетаний материалов.