|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1134–1138   ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of lithium donors in bulk single-crystal isotopically pure $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1336–1340 |
1
|
| 2. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 933–937 ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of phosphorus donors in bulk single-crystal monoisotopic $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1123–1126 |
2
|
|
2009 |
| 3. |
Б. А. Андреев, А. А. Ежевский, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль, “Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы”, Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009), 501–504 ; B. A. Andreev, A. A. Ezhevskii, N. V. Abrosimov, P. G. Sennikov, H. Pol, “Dependence of the energy of the resonance states of an acceptor in silicon on the host isotopic mass”, JETP Letters, 90:6 (2009), 455–458   |
| 4. |
П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль, “Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 80–83 ; P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, Yu. N. Drozdov, A. S. Kuznetsov, H. Pol, “Production of nanocrystalline silicon layers using the plasma enhanced chemical vapor deposition from the gas phase of silicon tetrafluoride”, JETP Letters, 89:2 (2009), 73–75 |
4
|
|
1995 |
| 5. |
Г. Г. Девятых, П. Г. Сенников, “Спектроскопическое определение и изучение молекулярного состояния примеси воды в высокочистых летучих неорганических веществах”, Усп. хим., 64:9 (1995), 872–887 ; G. G. Devyatykh, P. G. Sennikov, “Spectroscopic determination and study of the molecular state of water in ultrapure volatile inorganic substances”, Russian Chem. Reviews, 64:9 (1995), 817–830 |
16
|
|
1986 |
| 6. |
Г. Г. Девятых, П. Г. Сенников, С. В. Яньков, “Роль молекулярных комплексов в процессах глубокой очистки веществ”, Усп. хим., 55:8 (1986), 1233–1257 ; G. G. Devyatykh, P. G. Sennikov, S. V. Yan'kov, “The Role of Molecular Complexes in the Preparation of Highly Pure Materials”, Russian Chem. Reviews, 55:8 (1986), 691–705 |
2
|
|
1982 |
| 7. |
П. Г. Сенников, А. Н. Егорочкин, “Электронная спектроскопия комплексов с переносом заряда как метод изучения внутримолекулярных взаимодействий в органических и элементоорганических соединениях”, Усп. хим., 51:4 (1982), 561–585 ; P. G. Sennikov, A. N. Egorochkin, “Electronic Spectroscopy of Charge-transfer Complexes as a Method for the Investigation of Intramolecular Interactions in Organic and Organoelemental Compounds”, Russian Chem. Reviews, 51:4 (1982), 317–331 |
15
|
|
Обратная связь: