|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413   ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
|
2016 |
| 2. |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614 ; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 |
5
|
|
2007 |
| 3. |
А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов, “Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007), 397–400 ; A. B. Talochkin, V. A. Markov, V. I. Mashanov, “Relaxation of mechanical stresses in an array of Ge quantum dots obtained in Si”, JETP Letters, 86:5 (2007), 344–347   |
2
|
|
1965 |
| 4. |
В. И. Машанов, “Линейчатые поверхности конгруэнции прямых пространства постоянной кривизны”, Сиб. матем. журн., 6:1 (1965), 149–164   |
|
Обратная связь: