|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 86, выпуск 5, страницы 397–400
(Mi jetpl853)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si
А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
Аннотация:
Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200–300$^\circ$C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD.
Поступила в редакцию: 16.07.2007
Образец цитирования:
А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов, “Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007), 397–400; JETP Letters, 86:5 (2007), 344–347
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl853 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v86/i5/p397
|
|