|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2007 |
| 1. |
П. Г. Баранов, А. П. Бундакова, И. В. Боровых, С. Б. Орлинский, Р. Зондерван, Я. Шмидт, “Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов”, Письма в ЖЭТФ, 86:3 (2007), 231–235  ; P. G. Baranov, A. P. Bundakova, I. V. Borovyh, S. B. Orlinskii, R. Zondervan, J. Shmidt, “Spin polarization induced by optical and microwave resonance radiation in a Si vacancy in SiC: A promising subject for the spectroscopy of single defects”, JETP Letters, 86:3 (2007), 202–206   |
38
|
|
2006 |
| 2. |
П. Г. Баранов, Н. Г. Романов, Д. О. Толмачев, Ц. де Мелло Донега, А. Мэяринг, С. Б. Орлинский, Я. Шмидт, “Гигантское изменение интенсивности туннельного послесвечения в возбужденных квантовых точках ZnO, индуцированное переориентацией спинов электронно-дырочных пар в статическом и микроволновом магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 84:7 (2006), 475–479 ; P. G. Baranov, N. G. Romanov, D. O. Tolmachev, C. de Mello Donegá, A. Meijerink, S. B. Orlinskii, J. Shmidt, “Giant change in the intensity of tunneling afterglow in excited ZnO quantum dots induced by the spin reorientation of electron-hole pairs in static and microwave magnetic fields”, JETP Letters, 84:7 (2006), 400–403 |
9
|
|
2005 |
| 3. |
П. Г. Баранов, И. В. Ильин, Е. Н. Мохов, М. В. Музафарова, С. Б. Орлинский, Я. Шмидт, “Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 494–497 ; P. G. Baranov, I. V. Il'in, E. N. Mokhov, M. V. Muzafarova, S. B. Orlinskii, J. Shmidt, “EPR identification of the triplet ground state and photoinduced population inversion for a Si-C divacancy in silicon carbide”, JETP Letters, 82:7 (2005), 441–443 |
77
|
|
Обратная связь: