|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 86, выпуск 3, страницы 231–235
(Mi jetpl821)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 39 научных статьях (всего в 39 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов
П. Г. Барановa, А. П. Бундаковаa, И. В. Боровыхbc, С. Б. Орлинскийde, Р. Зондерванe, Я. Шмидтe a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b Fachbereich Physik, Universitat Osnabrueck, Germany
c Laboratory of Biophysics, Wageningen University, The Netherlands
d Казанский государственный университет, лаборатория МРС и КЭ
e Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University
Аннотация:
Наблюдались две противоположные схемы оптического выстраивания населенностей спиновых подуровней в основном состоянии вакансии Si в SiC при облучении неполяризованным светом на частотах безфононных линий, зависящие от температуры, политипа кристалла и кристаллической позиции. Обнаружено гигантское, достигающее 2–3 раз, изменение интенсивности люминесценции безфононных линий в нулевом магнитном поле при поглощении радиочастного излучения с энергией, равной расщеплению тонкой структуры спиновых подуровней основного состояния вакансии, что открывает возможности для регистрации магнитного резонанса на одиночной вакансии.
Поступила в редакцию: 19.06.2007
Образец цитирования:
П. Г. Баранов, А. П. Бундакова, И. В. Боровых, С. Б. Орлинский, Р. Зондерван, Я. Шмидт, “Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов”, Письма в ЖЭТФ, 86:3 (2007), 231–235; JETP Letters, 86:3 (2007), 202–206
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl821 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v86/i3/p231
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 329 | PDF полного текста: | 103 | Список литературы: | 53 |
|