|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
С. Л. Коваленко, Т. В. Павлова, Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, “Термопрограммируемый синтез монокристаллов квазисвободного N-графена из молекул ацетонитрила”, Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020), 697–704   ; S. L. Kovalenko, T. V. Pavlova, B. V. Andryushechkin, K. N. Eltsov, “Temperature-programmed growth of quasi-free-standing N-doped graphene single crystals from acetonitrile molecules”, JETP Letters, 111:10 (2020), 591–597   |
|
2017 |
| 2. |
Б. В. Андрюшечкин, В. М. Шевлюга, Т. В. Павлова, Г. М. Жидомиров, К. Н. Ельцов, “Структурные превращения на окисленной поверхности $\mathrm{Ag(111)}$”, Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017), 270–274 ; B. V. Andryushechkin, V. M. Shevlyuga, T. V. Pavlova, G. M. Zhidomirov, K. N. Eltsov, “Structural transformations on an oxidized $\mathrm{Ag(111)}$ surface”, JETP Letters, 105:5 (2017), 292–296 |
7
|
| 3. |
С. Л. Коваленко, Т. В. Павлова, Б. В. Андрюшечкин, О. И. Канищева, К. Н. Ельцов, “Эпитаксиальный рост монокристалла графена на поверхности Ni(111)”, Письма в ЖЭТФ, 105:3 (2017), 170–174 ; S. L. Kovalenko, T. V. Pavlova, B. V. Andryushechkin, O. I. Kanishcheva, K. N. Eltsov, “Epitaxial growth of a graphene single crystal on the Ni(111) surface”, JETP Letters, 105:3 (2017), 185–188 |
14
|
|
2014 |
| 4. |
K. N. El'tsov, A. A. Vedeneev, “The switching of GaAs(001) termination by action of molecular
iodine”, Письма в ЖЭТФ, 99:8 (2014), 537–541 ; JETP Letters, 99:8 (2014), 466–470 |
1
|
|
2007 |
| 5. |
В. Ю. Юров, Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез, “Образование наноостровков при осаждении меди на поверхность Cu(111)-($9\times 9$)-Ag”, Письма в ЖЭТФ, 86:1 (2007), 35–40 ; V. Yu. Yurov, B. V. Andryushechkin, K. N. El'tsov, V. V. Cherkez, “Formation of nanoislands in the course of copper deposition on a Cu(111)-($9\times 9$)-Ag surface”, JETP Letters, 86:1 (2007), 33–38 |
2
|
|
2006 |
| 6. |
Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез, “Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 195–200 ; B. V. Andryushechkin, K. N. El'tsov, V. V. Cherkez, “Epitaxial growth of semiconductor thin films on metals in the halogenation process. Atomic structure of copper iodide on the Cu(110) surface”, JETP Letters, 83:4 (2006), 162–166 |
7
|
|
2005 |
| 7. |
А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов, “Атомная структура поверхности GaAs(001)-c(8$\times$2) и места адсорбции атомов йода при малой степени покрытия”, Письма в ЖЭТФ, 82:1 (2005), 46–51 ; A. A. Vedeneev, K. N. El'tsov, “Atomic structure of GaAs(001)-c(8×2) and adsorption sites of iodine atoms at low coverage”, JETP Letters, 82:1 (2005), 44–48 |
7
|
|
2000 |
| 8. |
Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. М. Шевлюга, “Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов “соразмерная – несоразмерная структура” в хемосорбированных слоях галогена”, УФН, 170:5 (2000), 571–575 ; B. V. Andryushechkin, K. N. El'tsov, V. M. Shevlyuga, “Scanning tunneling microscopy of 'commensurate – incommensurate' structural phase transitions in the chemisorbed layers of halogens”, Phys. Usp., 43:5 (2000), 527–530 |
3
|
|
Обратная связь: