|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 82, выпуск 1, страницы 46–51
(Mi jetpl1504)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Атомная структура поверхности GaAs(001)-c(8$\times$2) и места адсорбции атомов йода при малой степени покрытия
А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов Центр естественно-научных исследований, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН
Аннотация:
Установлено соответствие наблюдаемых атомно-разрешенных СТМ-изображений и $\zeta$-модели атомной структуры поверхности GaAs(001)-c(8$\times$2). Выяснено, что атомы йода при малой степени покрытия ($\theta<0.1$) занимают места над вакансионными рядами между атомами мышьяка, расположенными в верхнем слое.
Поступила в редакцию: 31.05.2005
Образец цитирования:
А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов, “Атомная структура поверхности GaAs(001)-c(8$\times$2) и места адсорбции атомов йода при малой степени покрытия”, Письма в ЖЭТФ, 82:1 (2005), 46–51; JETP Letters, 82:1 (2005), 44–48
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1504 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i1/p46
|
|