Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 4, страницы 195–200 (Mi jetpl1250)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)

Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез

Центр естественнонаучных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН
Список литературы:
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии исследована атомная структура тонких слоев йодида меди (7–20 Å), формируемых на поверхности Cu(110) в результате химической реакции с молекулярным йодом в условиях сверхвысокого вакуума. Обнаружена сверхструктура с периодом 90–100 Å, состоящая из сдвоенных полос. Предложена структурная модель поверхности йодида меди, учитывающая сжатие решетки CuI и формирование сдвоенных линейных доменных стенок.
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2006, Volume 83, Issue 4, Pages 162–166
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364006040072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.35.-p, 68.35.Bs, 68.65.+g
Образец цитирования: Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез, “Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 195–200; JETP Letters, 83:4 (2006), 162–166
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndEltChe06}
\by Б.~В.~Андрюшечкин, К.~Н.~Ельцов, В.~В.~Черкез
\paper Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2006
\vol 83
\issue 4
\pages 195--200
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1250}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2006
\vol 83
\issue 4
\pages 162--166
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364006040072}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000238680300007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33646197932}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1250
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i4/p195
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:208
    PDF полного текста:93
    Список литературы:32
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024