|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 4, страницы 195–200
(Mi jetpl1250)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)
Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез Центр естественнонаучных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН
Аннотация:
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследована атомная структура тонких слоев йодида меди (7–20 Å), формируемых на поверхности Cu(110) в результате химической реакции с молекулярным йодом в условиях сверхвысокого вакуума. Обнаружена сверхструктура с периодом 90–100 Å, состоящая из сдвоенных полос. Предложена структурная модель поверхности йодида меди, учитывающая сжатие решетки CuI и формирование сдвоенных линейных доменных стенок.
Образец цитирования:
Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез, “Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 195–200; JETP Letters, 83:4 (2006), 162–166
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1250 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i4/p195
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 196 | PDF полного текста: | 80 | Список литературы: | 22 |
|