|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 16–22   ; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide hgte quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 12–18 |
4
|
|
2017 |
| 2. |
С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1630 ; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide HgTe quantum wells”, Semiconductors, 52:12 (2018), 12–18 |
4
|
| 3. |
Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, “The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 281 ; Semiconductors, 51:2 (2017), 272–278 |
1
|
|
2008 |
| 4. |
Т. Б. Чарикова, Н. Г. Шелушинина, Г. И. Харус, А. А. Иванов, “Влияние нестехиометрического беспорядка на температурную зависимость верхнего критического поля в электронных сверхпроводниках Nd${}_{2-x}$Ce${}_x$CuO${}_{4+\delta}$”, Письма в ЖЭТФ, 88:2 (2008), 132–136 ; T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, G. I. Kharus, A. A. Ivanov, “Effect of the nonstoichiometric disorder on the temperature dependence of the upper critical field in Nd<sub>2− x </sub>Ce<sub> x </sub>CuO<sub>4+δ</sub> electron superconductors”, JETP Letters, 88:2 (2008), 123–126   |
9
|
|
1984 |
| 5. |
Н. П. Гавалешко, И. И. Ляпилин, П. Д. Марьянчук, А. И. Пономарев, Г. И. Харус, “Влияние обменного взаимодействия на $g$-фактор
электронов проводимости в HgMnSe”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 990–993 |
|
1974 |
| 6. |
Р. В. Парфеньев, Г. И. Харус, И. М. Цидильковский, С. С. Шалыт, “Магнитофононный резонанс в полупроводниках”, УФН, 112:1 (1974), 3–36 ; R. V. Parfen'ev, G. I. Kharus, I. M. Tsidil'kovskii, S. S. Shalyt, “Magnetophonon resonance in semiconductors”, Phys. Usp., 17:1 (1974), 1–19 |
26
|
|
|
|
2002 |
| 7. |
Ж. И. Алферов, В. Л. Гинзбург, Б. П. Захарченя, Ю. М. Каган, Л. В. Келдыш, Ю. В. Копаев, Г. А. Месяц, Ю. С. Осипов, Ю. А. Осипьян, В. В. Устинов, Г. И. Харус, В. А. Черешнев, “Памяти Исаака Михайловича Цидильковского”, УФН, 172:7 (2002), 839–840 ; Zh. I. Alferov, V. L. Ginzburg, B. P. Zakharchenya, Yu. M. Kagan, L. V. Keldysh, Yu. V. Kopaev, G. A. Mesyats, Yu. S. Osipov, Yu. A. Osip'yan, V. V. Ustinov, G. I. Kharus, V. A. Chereshnev, “In memory of Isaak Mikhailovich Tsidil'kovskii”, Phys. Usp., 45:7 (2002), 779–780 |
|
Обратная связь: