|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. И. Плебанович, П. К. Садовский, М. И. Тарасик, А. Р. Челядинский, “Взаимодействие атомов сурьмы с микропорами в кремнии”, Физика твердого тела, 60:1 (2018), 22–24   ; V. B. Odzaev, A. N. Pyatlitski, V. I. Plebanovich, P. K. Sadovskii, M. I. Tarasik, A. R. Chelyadinskii, “Interaction between antimony atoms and micropores in silicon”, Phys. Solid State, 60:1 (2018), 20–22 |
|
2003 |
| 2. |
А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров, “Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии”, УФН, 173:8 (2003), 813–846 ; A. R. Chelyadinskii, F. F. Komarov, “Defect-impurity engineering in implanted silicon”, Phys. Usp., 46:8 (2003), 789–820  |
33
|
|
1995 |
| 3. |
В. С. Вавилов, А. Р. Челядинский, “Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения”, УФН, 165:3 (1995), 347–358 ; V. S. Vavilov, A. R. Chelyadinskii, “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage”, Phys. Usp., 38:3 (1995), 333–343 |
18
|
|
1991 |
| 4. |
В. С. Вариченко, А. М. Зайцев, Н. А. Куделевич, А. Р. Челядинский, “Пространственное распределение, накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами аргона и никеля”, Физика твердого тела, 33:12 (1991), 3552–3555 |
|
Обратная связь: