Аннотация:
Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.
Поступила:27 ноября 2002 г. Доработана: 29 апреля 2003 г.
Образец цитирования:
А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров, “Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии”, УФН, 173:8 (2003), 813–846; Phys. Usp., 46:8 (2003), 789–820