|
Эта публикация цитируется в 34 научных статьях (всего в 34 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии
А. Р. Челядинскийa, Ф. Ф. Комаровb a Белорусский государственный университет, физический факультет
b НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко, Белорусский государственный университет
Аннотация:
Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.
Поступила: 27 ноября 2002 г. Доработана: 29 апреля 2003 г.
Образец цитирования:
А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров, “Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии”, УФН, 173:8 (2003), 813–846; Phys. Usp., 46:8 (2003), 789–820
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn2163 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v173/i8/p813
|
|