|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Корреляционная кулоновская щель при магнитотуннелировании между слоями графена”, Письма в ЖЭТФ, 118:6 (2023), 438–444  ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “Coulomb correlation gap at magnetic tunneling between graphene layers”, JETP Letters, 118:6 (2023), 433–438 |
|
2021 |
| 2. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов, “Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ структурах”, Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021), 366–371 ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, S. V. Morozov, “Strong effect of the wavelength of light on quantum oscillations of the photocurrent and their resonant tunneling nature in $p{-}i{-}n$ GaAs/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 114:6 (2021), 332–336   |
1
|
|
2020 |
| 3. |
М. В. Григорьев, Д. А. Казарян, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 238–243  ; M. V. Grigor'ev, D. A. Ghazaryan, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “On the role of structural imperfections of graphene in resonant tunneling through localized states in the $h$-BN barrier of van-der-Waals heterostructures”, Semiconductors, 54:3 (2020), 291–296 |
|
2019 |
| 4. |
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, М. В. Григорьев, О. Макаровский, М. Алхазми, С. В. Морозов, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Туннелирование в графен/$h$-$BN$/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов $h$-$BN$ и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена”, Письма в ЖЭТФ, 109:7 (2019), 492–499 ; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Mahal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Tunneling in graphene/h-BN/graphene heterostructures through zero-dimensional levels of defects in h-BN and their use as probes to measure the density of states of graphene”, JETP Letters, 109:7 (2019), 482–489 |
7
|
|
2012 |
| 5. |
С. В. Морозов, “Новые эффекты в графене с высокой подвижностью носителей”, УФН, 182:4 (2012), 437–442 ; S. V. Morozov, “New effects in graphene with high carrier mobility”, Phys. Usp., 55:4 (2012), 408–412 |
10
|
|
2008 |
| 6. |
С. В. Морозов, К. С. Новоселов, А. К. Гейм, “Электронный транспорт в графене”, УФН, 178:7 (2008), 776–780 ; S. V. Morozov, K. S. Novoselov, A. K. Geim, “Electron transport in graphene”, Phys. Usp., 51:7 (2008), 744–748 |
105
|
|
Обратная связь: