|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров, “Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1543–1546   ; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, O. E. Galkin, A. V. Hananova, A. B. Makarov, “Analysis of the GaN-HEMT parameters before and after gamma-neutron irradiation”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1490–1494 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев, “Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1599–1604 ; E. A. Tarasova, E. S. Obolenskaya, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Nezhentsev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, G. V. Medvedev, “Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1574–1578 |
5
|
| 3. |
Е. А. Тарасова, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, Ю. Н. Свешников, В. И. Егоркин, В. А. Иванов, Г. В. Медведев, Д. С. Смотрин, “Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 331–338 ; E. A. Tarasova, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, Yu. N. Sveshnikov, V. I. Egorkin, V. A. Ivanov, G. V. Medvedev, D. S. Smotrin, “Study of the electron distribution in GaN and GaAs after $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 50:3 (2016), 326–333 |
6
|
|
Обратная связь: