Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Ромака В В

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 2
Научных статей: 2

Статистика просмотров:
Эта страница:32
Страницы публикаций:67
Полные тексты:44

https://www.mathnet.ru/rus/person193352
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2017
1. В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, D. Kaczorowski, В. Я. Крайовский, Ю. В. Стаднык, А. М. Горынь, “Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Y”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  147–153  mathnet  elib; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, V. Ya. Krayovskyy, Yu. V. Stadnyk, A. M. Horyn, “Features of the band structure and conduction mechanisms of $n$-HfNiSn heavily doped with Y”, Semiconductors, 51:2 (2017), 139–145 1
2016
2. В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю. В. Стаднык, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Особенности механизмов проводимости сильно легированного и компенсированного полупроводника V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  877–885  mathnet  elib; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, Yu. V. Stadnyk, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, “Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb semiconductor”, Semiconductors, 50:7 (2016), 860–868 5

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024