|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
1. |
В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1195–1201 ; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 |
8
|
2. |
А. С. Усиков, H. Helava, A. Nikiforov, М. В. Пузык, Б. П. Папченко, Ю. В. Ковалева, Ю. Н. Макаров, “Электрохимическое травление $p$–$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 80–87 ; A. S. Usikov, H. Helava, A. Nikiforov, M. V. Puzyk, B. P. Papchenko, Yu. V. Kovaleva, Yu. N. Makarov, “Electrochemical etching of $p$–$n$-GaN/AlGaN photoelectrodes”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 482–485 |
2
|
|