Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Helava H

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 2
Научных статей: 2

Статистика просмотров:
Эта страница:36
Страницы публикаций:86
Полные тексты:39

https://www.mathnet.ru/rus/person193098
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2016
1. В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201  mathnet  elib; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 8
2. А. С. Усиков, H. Helava, A. Nikiforov, М. В. Пузык, Б. П. Папченко, Ю. В. Ковалева, Ю. Н. Макаров, “Электрохимическое травление $p$$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  80–87  mathnet  elib; A. S. Usikov, H. Helava, A. Nikiforov, M. V. Puzyk, B. P. Papchenko, Yu. V. Kovaleva, Yu. N. Makarov, “Electrochemical etching of $p$$n$-GaN/AlGaN photoelectrodes”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 482–485 2
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024