|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, Г. Д. Зашихин, С. А. Пшеничнюк, О. В. Борщев, С. А. Пономаренко, B. Handke, “Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса между пленками диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров и поверхностью окисленного кремния”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 1012–1017   ; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, Yu. A. Panina, G. D. Zashikhin, S. A. Pshenichnyuk, O. V. Borshchev, S. A. Ponomarenko, B. Handke, “Unoccupied electron states and the formation of interface between films of dimethyl-substituted thiophene–phenylene coolygomers and oxidized silicon surface”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 1029–1034 |
3
|
| 2. |
А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, А. В. Барамыгин, Г. Д. Зашихин, С. А. Пшеничнюк, “Плотность электронных состояний в зоне проводимости сверхтонких пленок дикарбоксильно замещенного и тетракарбоксильно замещенного нафталина на поверхности окисленного кремния”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 799–804 ; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, Yu. A. Panina, A. V. Baramygin, G. D. Zashikhin, S. A. Pshenichnyuk, “Density of electronic states in the conduction band of ultrathin films of naphthalenedicarboxylic anhydride and naphthalenetetracarboxylic dianhydride on the surface of oxidized silicon”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 804–808 |
3
|
|
2017 |
| 3. |
А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, А. В. Барамыгин, Г. Д. Зашихин, С. А. Пшеничнюк, “Плотность незаполненных электронных состояний осажденных в вакууме пленок диоктил-замещенного и дифенил-замещенного перилен-дикарбоксимида”, Физика твердого тела, 59:2 (2017), 389–393 ; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, Yu. A. Panina, A. V. Baramygin, G. D. Zashikhin, S. A. Pshenichnyuk, “Density of unoccupied electronic states of vapor-deposited films of dioctyl-substituted and diphenyl-substituted perylenedicarboximides”, Phys. Solid State, 59:2 (2017), 403–407 |
1
|
|
2016 |
| 4. |
А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, А. В. Барамыгин, Г. Д. Зашихин, “Электронная структура зоны проводимости при формировании сверхтонких пленок фуллеренов на поверхности оксида германия”, Физика твердого тела, 58:6 (2016), 1216–1220 ; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, Yu. A. Panina, A. V. Baramygin, G. D. Zashikhin, “Electronic structure of the conduction band upon the formation of ultrathin fullerene films on the germanium oxide surface”, Phys. Solid State, 58:6 (2016), 1257–1261 |
1
|
| 5. |
А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, А. В. Барамыгин, Г. Д. Зашихин, С. А. Пшеничнюк, “Структура вакантных электронных состояний поверхности окисленного германия при осаждении пленок перилен-тетракарбонового диангидрида”, Физика твердого тела, 58:2 (2016), 367–371 ; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, Yu. A. Panina, A. V. Baramygin, G. D. Zashikhin, S. A. Pshenichnyuk, “Structure of vacant electronic states of an oxidized germanium surface upon deposition of perylene tetracarboxylic dianhydride films”, Phys. Solid State, 58:2 (2016), 377–381 |
25
|
|
Обратная связь: