Электронная структура зоны проводимости при формировании сверхтонких пленок фуллеренов на поверхности оксида германия

Приведены результаты исследования электронной структуры зоны проводимости в энергетическом диапазоне на 5–25 eV выше уровня Ферми $E_{\mathrm{F}}$ и пограничного потенциального барьера при осаждении пленок азиридинилфенилпирролофуллерена (APP-C$_{60}$) и фуллерена (C$_{60}$) на поверхность реального оксида германия ((GeO$_{2}$)Ge). Содержание окисла на поверхности (GeO$_{2}$)Ge определялось методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Для установления электронных свойств использовалась методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка низкоэнергетических электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока. Исследованы закономерности изменения тонкой структуры спектров полного тока (ТССПТ) в процессе увеличения толщины покрытия APP-C$_{60}$ и C$_{60}$ до 7 nm. При сравнении структуры максимумов ТССПТ пленок С$_{60}$ и APP-С$_{60}$ удалось выделить энергетический диапазон на 6–10 eV выше $E_{\mathrm{F}}$, энергетические состояния в котором обусловлены как $\pi^{*}$-, так и $\sigma^{*}$-состояниями, а ТССПТ обладает различной структурой максимумов для пленок APP-С$_{60}$ и незамещенного С$_{60}$. Формирование пограничного потенциального барьера при осаждении APP-C$_{60}$ и C$_{60}$ на поверхность (GeO$_{2}$)Ge сопровождается увеличением работы выхода поверхности $E_{\operatorname{vac}}$–$E_{\mathrm{F}}$ на 0.2–0.3 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки к исследованным органическим пленкам. Наибольшие изменения происходят при увеличении толщины покрытия до 3 nm, а при дальнейшем осаждении APP-C$_{60}$ и C$_{60}$ работа выхода поверхности изменяется незначительно.