|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
С. З. Зайнабидинов, А. Й. Бобоев, Д. П. Абдурахимов, “Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$”, Comp. nanotechnol., 9:2 (2022), 73–79  |
|
2018 |
| 2. |
С. Зайнабидинов, И. Г. Турсунов, О. Химматкулов, “Влияние изотропного давления на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 896–899  ; S. Zaynabidinov, I. G. Tursunov, O. Khimmatkulov, “Influence of isotropic pressure on the current–voltage characteristics of surface-barrier diodes Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1027–1030 |
2
|
|
2016 |
| 3. |
С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, М. У. Каланов, Ш. Н. Усмонов, В. М. Рустамова, А. Й. Бобоев, “Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 60–66 ; S. Zaynabidinov, A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, M. U. Kalanov, Sh. N. Usmonov, V. M. Rustamova, A. Boboev, “Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ epitaxial films”, Semiconductors, 50:1 (2016), 59–65 |
4
|
|
Обратная связь: