Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 896–899
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46215.8765 (Mi phts5759) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние изотропного давления на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au

С. Зайнабидинов, И. Г. Турсунов, О. Химматкулов

Национальный университет Узбекистана, г. Ташкент
PDF полного текста (106 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46215.8765
Аннотация: Исследовано влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодных структур типа Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au. Определена высота потенциального барьера ($e\varphi_\delta$ = 0.75 эВ) и барический коэффициент ее изменения ($\delta$ = -1.54 $\cdot$ 10$^{-11}$ эВ/Па).
Поступила в редакцию: 14.11.2017
Принята в печать: 29.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1027–1030
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080262
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Зайнабидинов, И. Г. Турсунов, О. Химматкулов, “Влияние изотропного давления на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 896–899; Semiconductors, 52:8 (2018), 1027–1030
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZayTurKhi18}
\by С.~Зайнабидинов, И.~Г.~Турсунов, О.~Химматкулов
\paper Влияние изотропного давления на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb--$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$--Au
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 896--899
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5759}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46215.8765}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269432}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1027--1030
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080262}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5759
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p896
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024