|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1579–1583   ; Ya. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, D. N. Nikolaev, M. N. Mizerov, V. P. Evtikhiev, “Changes in the photoluminescence properties of semiconductor heterostructures after ion-beam etching”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, В. П. Евтихиев, “Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1237–1243 ; V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, “Selective epitaxial growth of III–N structures using ion-beam nanolithography”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1357–1362 |
5
|
| 3. |
М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, Г. В. Вознюк, Е. Е. Татаринов, С. Н. Родин, М. А. Калитеевский, В. П. Евтихиев, “Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 816–818 ; M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, V. P. Evtikhiev, “Concentric hexagonal GaN structures for nanophotonics, fabricated by selective vapor-phase epitaxy with ion-beam etching”, Semiconductors, 52:7 (2018), 954–956 |
2
|
|
Обратная связь: