|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. А. Танрывердиев, В. С. Тагиев, М. Н. Абдуллаев, Г. Г. Керимова, “Фазовый переход в цилиндрических изинговых нанопроволоках и нанотрубках: приближение теории молекулярного поля”, Физика твердого тела, 61:4 (2019), 694–697   ; V. A. Tanriverdiyev, V. S. Tagiev, M. N. Abdullaev, G. G. Kerimova, “Phase transition in cylindrical ising nanowires and nanotubes: approximation of the molecular field theory”, Phys. Solid State, 61:4 (2019), 571–574 |
| 2. |
Р. Р. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. L. Belenky, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Э. Г. Ализаде, Х. Н. Ахмедова, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, В. Н. Зверев, “Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926 ; R. R. Guseynov, V. A. Tanriverdiyev, G. L. Belenky, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, E. G. Alizade, Kh. N. Akhmedova, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, V. N. Zverev, “Electrical and optical properties of unrelaxed InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 906–910 |
2
|
|
2017 |
| 3. |
P. P. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 551–557 ; R. R. Guseinov, V. A. Tanriverdiyev, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, “In InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures on compositionally graded GaInSb and AlGaInSb buffer layers”, Semiconductors, 51:4 (2017), 524–530 |
2
|
|
Обратная связь: