|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 281–286   ; D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, V. I. Zubkov, “Technique for the electrochemical capacitance–voltage profiling of heavily doped structures with a sharp doping profile”, Semiconductors, 53:2 (2019), 268–272 |
10
|
|
2017 |
| 2. |
М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1539–1544 ; M. V. Dorokhin, S. V. Zaitsev, A. V. Rykov, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, V. I. Zubkov, D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, A. V. Kudrin, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550 |
4
|
|
2016 |
| 3. |
Г. Е. Яковлев, Д. С. Фролов, А. В. Зубкова, Е. Е. Левина, В. И. Зубков, А. В. Соломонов, О. К. Стерлядкин, С. А. Сорокин, “Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 324–330 ; G. E. Yakovlev, D. S. Frolov, A. V. Zubkova, E. E. Levina, V. I. Zubkov, A. V. Solomonov, O. K. Sterlyadkin, S. A. Sorokin, “Investigation of ion-implanted photosensitive silicon structures by electrochemical capacitance–voltage profiling”, Semiconductors, 50:3 (2016), 320–325 |
13
|
|
Обратная связь: