|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1923–1932   ; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 |
4
|
| 2. |
Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1386–1390 ; E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
П. А. Бушуйкин, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, Е. В. Демидов, Г. М. Савченко, В. Ю. Давыдов, “Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1594–1598 ; P. A. Bushuikin, A. V. Novikov, B. A. Andreev, D. N. Lobanov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, L. V. Krasil’nikova, E. V. Demidov, G. M. Savchenko, V. Yu. Davydov, “Specific features of the photoexcitation spectra of epitaxial InN layers grown by molecular-beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1537–1541 |
| 4. |
E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Viharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, J. E. Batler, “Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron””, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1151 ; Semiconductors, 51:8 (2017), 1106 |
|
2016 |
| 5. |
Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598 ; E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, D. E. Batler, “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573 |
2
|
| 6. |
В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1459–1462 ; V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 |
3
|
|
Обратная связь: