|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Alexander S. Pashchenko, Oleg V. Devitsky, Leonid S. Lunin, Marina L. Lunina, Olga S. Pashchenko, Eleonora M. Danilina, “Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:5 (2023), 601–605   |
|
2019 |
| 2. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, В. В. Нефедов, “Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1110–1114 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, V. V. Nefedov, “Effect of bismuth on the properties of elastically stressed AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1088–1091 |
1
|
| 3. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, “Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 903–907 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, “On the properties of isoparametric AlInGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 887–891 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина, “Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 3–8 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, E. M. Danilina, “AlInPSbAs/InAs heterostructures for thermophotoelectric converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1049–1051 |
|
Обратная связь: