|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. В. Михайлович, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 61–67   ; S. V. Mikhailovich, A. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “Low-energy defectless dry etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT barrier layer”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 435–437 |
8
|
|
2017 |
| 2. |
С. В. Михайлович, Р. Р. Галиев, А. В. Зуев, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 9–14 ; S. V. Mikhailovich, R. R. Galiev, A. V. Zuev, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “The influence of gate length on the electron injection of velocity in an AlGaN/AlN/GaN НЕМТ channel”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 733–735 |
2
|
|
Обратная связь: