|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, С. Г. Симакин, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 165–168   ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. O. Parshin, N. S. Melesov, S. G. Simakin, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 156–159 |
2
|
| 2. |
Н. А. Соболев, О. В. Александров, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, А. Е. Калядин, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, “Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 161–164 ; N. A. Sobolev, O. V. Aleksandrov, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, A. E. Kalyadin, E. O. Parshin, N. S. Melesov, “Influence of annealing temperature on electrically active centers in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 153–155 |
1
|
| 3. |
В. И. Бачурин, Н. С. Мелесов, Е. О. Паршин, А. С. Рудый, А. Б. Чурилов, “Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 26–29 ; V. I. Bachurin, N. S. Melesov, E. O. Parshin, A. S. Rudyi, A. B. Churilov, “Study of multilayer thin film structures by Rutherford backscattering spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 609–612 |
|
Обратная связь: