|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373  |
|
2020 |
| 2. |
Р. А. Бабунц, Д. Д. Крамущенко, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, “Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1807–1815  ; R. A. Babunts, D. D. Kramushchenko, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, A. G. Badalyan, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “Features of high-frequency EPR/ESE/ODMR spectroscopy of NV-defects in diamond”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2024–2032 |
4
|
|
2018 |
| 3. |
И. В. Ильин, Ю. А. Успенская, Д. Д. Крамущенко, М. В. Музафарова, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 641–659 ; I. V. Il'in, Yu. A. Uspenskaya, D. D. Kramushchenko, M. V. Muzafarova, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Group III acceptors with shallow and deep levels in silicon carbide: ESR and ENDOR studies”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 644–662 |
3
|
|
Обратная связь: