Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Терещенко Алексей Николаевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 3
Научных статей: 3

Статистика просмотров:
Эта страница:46
Страницы публикаций:124
Полные тексты:48

https://www.mathnet.ru/rus/person186836
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. В. В. Привезенцев, А. П. Сергеев, В. С. Куликаускас, Д. А. Киселев, А. Ю. Трифонов, А. Н. Терещенко, “Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1376–1382  mathnet  elib; V. V. Privezentsev, A. P. Sergeev, V. S. Kulikauskas, D. A. Kiselev, A. Yu. Trifonov, A. N. Tereshchenko, “Structure, content and properties of Zn and O ion hot implanted silicon”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1650–1656
2018
2. А. Н. Терещенко, Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. А. Никольская, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Э. А. Штейнман, “Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707  mathnet  elib; A. N. Tereshchenko, D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. A. Nikolskaya, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. A. Steinman, “Effect of boron impurity on the light-emitting properties of dislocation structures formed in silicon by Si$^{+}$ ion implantation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 843–848 7
2016
3. С. К. Брантов, А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, Е. Б. Якимов, “Физические свойства пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическом поле”, ЖТФ, 86:3 (2016),  110–113  mathnet  elib; S. K. Brantov, A. N. Tereshchenko, E. A. Steinman, E. B. Yakimov, “Physical properties of carbon films obtained by methane pyrolysis in an electric field”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 428–431 1

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024