|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении
одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 816–821   ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1285–1288 ; R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257 |
|
2016 |
| 3. |
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353 ; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 |
4
|
|
Обратная связь: