|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов, “Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 504–509   ; V. V. Bolotov, K. E. Ivlev, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Roslikov, “Formation of multilayer structures with integrated membranes based on porous silicon”, Semiconductors, 54:5 (2020), 609–613 |
5
|
|
2019 |
| 2. |
Ю. А. Стенькин, В. В. Болотов, Д. В. Соколов, В. Е. Росликов, К. Е. Ивлев, “Получение нанокомпозитов МУНТ/MnO$_{2-x}$, МУНТ/MnO$_{2-x}$/CuO и исследования их газочувствительных свойств”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2240–2243 ; Yu. A. Sten'kin, V. V. Bolotov, D. V. Sokolov, V. E. Roslikov, K. E. Ivlev, “Synthesis and gas-sensing properties of MnO$_{2-x}$ and MnO$_{2-x}$/CuO-coated multiwalled carbon nanotube nanocomposites”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 2224–2227 |
2
|
|
2017 |
| 3. |
В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов, “Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 51–55 ; V. V. Bolotov, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Kan, N. A. Davletkildeev, K. E. Ivlev, V. E. Roslikov, “Formation and properties of the buried isolating silicon-dioxide layer in double-layer “porous silicon-on-insulator” structures”, Semiconductors, 51:1 (2017), 49–53 |
2
|
|
Обратная связь: